Effet de la largeur des queues de bandes du silicium amorphe sur le rendement d’une cellule solaire à hétérojonction

Madani Yssad H; Rahal Wl; Rached D

Article Details

Effet de la largeur des queues de bandes du silicium amorphe sur le rendement d’une cellule solaire à hétérojonction

Authors:

Madani Yssad H | Rahal Wl | Rached D

Publisher:

Ecole Nationale supérieure Polytechnique

Journal:

Communication science et technologie Vol.16 Issue 1, pp.13-24

Document Type:

Article

Publication Date:

1/2018

Document Language:

French

Document ID (Org No.):

2001541997

pISSN:

2773-3483

Keywords:

Abstract:

 Dans cet article, deux des facteurs qui limitent les performances des cellules
solaires HIT (Heterojunction with Intrinsic Thin Layer) à base d’hétérojonction
silicium amorphe/silicium cristallin ont été étudiés. Dans un premier temps, nous
nous sommes intéressé à l’influence des énergies caractéristiques des queues de
bande de valence EA et de conduction ED du silicium amorphe hydrogéné [1], puis
nous avons analysé l’effet des mobilités des électrons n et des trous p de la couche
fenêtre de la structure ITO/p-a-Si:H /i-pm-Si:H /n-c-Si/Al. A cet effet, nous avons
utilisé le logiciel ASDMP (Amorphous Semiconductor Device Modeling Program)
[1,2] pour effectuer nos simulations.
Nos résultats ont montré qu’une diminution de ED dans la couche p-a-Si:H
décroît la densité des états donneurs dans le gap, ainsi que les recombinaisons des
trous dans cette couche. Cependant aucune amélioration n’a été observée lorsque
EA diminue. D’autre part, nous avons démontré que lorsque l’on augmente les
mobilités des électrons µn et des trous µp le rendement des cellules étudiées est
amélioré.

Article Details

Effet de la largeur des queues de bandes du silicium amorphe sur le rendement d’une cellule solaire à hétérojonction

Authors:

Madani Yssad H | Rahal Wl | Rached D

Publisher:

Ecole Nationale supérieure Polytechnique

Journal:

Communication science et technologie Vol.16 Issue 1, pp.13-24

Document Type:

Article

Publication Date:

1/2018

Document Language:

French

Document ID (Org No.):

2001541997

pISSN:

2773-3483

cellule solaire HIT

silicium amorphe

silicium cristallin

énergies caractéristiques

queues de bandes

mobilités

ASDMP

Issues

Article Details

Authors: Madani Yssad H | Rahal Wl | Rached D

Publisher: Ecole Nationale supérieure Polytechnique

Journal: Communication science et technologie Vol.16 Issue 1, pp.13-24

Document Type: Article

Publication Date: 1/2018

Document Language: French

Document ID (Org No.): 2001541997

pISSN: 2773-3483

Issues

Authors:

Madani Yssad H | Rahal Wl | Rached D

Publisher:

Ecole Nationale supérieure Polytechnique

Journal:

Communication science et technologie Vol.16 Issue 1, pp.13-24

Document Type:

Article

Publication Date:

1/2018

Document Language:

French

Document ID (Org No.):

2001541997

pISSN:

2773-3483