Sb2S3 İnce Filmlerin Yapısal, Optik ve Fotovoltaik Özelliklerinin İncelenmesi

Sabit HOROZ; Hüsnü KOÇ; Ömer ŞAHİN

doi:https://doi.org/10.17776/csj.340520

Article Details

Sb2S3 İnce Filmlerin Yapısal, Optik ve Fotovoltaik Özelliklerinin İncelenmesi

Authors:

Sabit HOROZ | Hüsnü KOÇ | Ömer ŞAHİN

Main Topics:

Astronomy and allied sciences

Journal:

Cumhuriyet Science Journal 2017 Vol.38 Issue 3, pp.588-593

Document Type:

Article

Publication Date:

9/2017

Document Language:

Turkish

Document ID (Org No.):

2000921011

DOI:

https://doi.org/10.17776/csj.340520

Keywords:

Abstract:

 


Sb2S3 thin films were
prepared on amorphous glass substrates by chemical bath deposition (CBD) at
room temperature.  The Sb2S3
thin films were characterized by x-ray diffraction (XRD), Raman spectroscopy,
scanning electron microscopy (SEM) and UV-Vis spectroscopy.  The XRD revealed that the as deposited Sb2S3
thin film has a different structure compared to annealed Sb2S3
thin film. As deposited Sb2S3 thin film showed amorphous
structures while the Sb2S3 thin film became
polycrystalline after annealing at 350 0C for 1h under N2.  The band gaps of the Sb2S3 thin
films were compared using UV-Vis spectroscopy. 
The spectral response of the Sb2S3 thin film
enhanced after the annealing process. The Sb2S3 thin
films were subsequently used to make semiconductor-sensitized TiO2 nanowire
(NW) solar cells.  The performances of
the solar cells, with the short circuit current density and open circuit
voltage, were investigated. Based on the optical and photovoltaic measurements,
we consider that annealed Sb2S3 thin films can be
promising materials for developing solar cell technologies. 

.

 


Sb2S3 ince filmleri, amorf cam yüzeylerde oda
sıcaklığında kimyasal banyo depolaması (CBD) yöntemi ile hazırlandı.  Sb2S3 ince filmleri,
x-ışını kırınımı (XRD), Raman spektroskopisi, taramalı elektron mikroskobu
(SEM) ve UV-Vis spektroskopisi ile karakterize edildi.  XRD, depolanmış Sb2S3
ince filminin, tavlanmış Sb2S3 ince film ile
karşılaştırıldığında farklı bir yapıya sahip olduğunu ortaya koymuştur. Depolanmış
Sb2S3 ince filmi amorf yapılar gösterirken, Sb2S3
ince filmi 350oC'de N2 altında 1 saat tavlama işleminden
sonra poli kristal hale geldi.  UV-Vis
spektroskopisi kullanılarak Sb2S3 ince filmlerin bant
boşlukları karşılaştırıldı.  Tavlama
işleminden sonra Sb2S3 ince filminin spektral tepkisi
arttı.  Daha sonra Sb2S3
ince filmleri yarı iletken-hassaslaştırılmış TiO2 nanotel (NW) güneş
pilleri yapmak için kullanıldı. Güneş pili hücrelerinin kısa devre akım
yoğunluğu ve açık devre voltajı ile performansları araştırılmıştır. Optik ve
fotovoltaik ölçümlere dayanarak, tavlanmış Sb2S3 ince
filmlerin güneş pilleri teknolojilerini geliştirme konusunda umut verici
malzemeler olabileceğini düşünüyoruz.

.

Article Details

Sb2S3 İnce Filmlerin Yapısal, Optik ve Fotovoltaik Özelliklerinin İncelenmesi

Authors:

Sabit HOROZ | Hüsnü KOÇ | Ömer ŞAHİN

Main Topics:

Astronomy and allied sciences

Journal:

Cumhuriyet Science Journal 2017 Vol.38 Issue 3, pp.588-593

Document Type:

Article

Publication Date:

9/2017

Document Language:

Turkish

Document ID (Org No.):

2000921011

DOI:

https://doi.org/10.17776/csj.340520

Sb2S3 ince filmler

kimyasal banyo depolanması

yarıiletken-tabanlı güneş pilleri

Issues

Article Details

Sb2S3 İnce Filmlerin Yapısal, Optik ve Fotovoltaik Özelliklerinin İncelenmesi

Authors: Sabit HOROZ | Hüsnü KOÇ | Ömer ŞAHİN

Main Topics: Astronomy and allied sciences

Journal: Cumhuriyet Science Journal 2017 Vol.38 Issue 3, pp.588-593

Document Type: Article

Publication Date: 9/2017

Document Language: Turkish

Document ID (Org No.): 2000921011

DOI: https://doi.org/10.17776/csj.340520

Sb2S3 ince filmler

kimyasal banyo depolanması

yarıiletken-tabanlı güneş pilleri

Issues

Authors:

Sabit HOROZ | Hüsnü KOÇ | Ömer ŞAHİN

Main Topics:

Astronomy and allied sciences

Journal:

Cumhuriyet Science Journal 2017 Vol.38 Issue 3, pp.588-593

Document Type:

Article

Publication Date:

9/2017

Document Language:

Turkish

Document ID (Org No.):

2000921011

DOI:

https://doi.org/10.17776/csj.340520