INFLUENCE DE LA POLARISATION PIEZOELECTRIQUE SUR LES TRANSISTORS CONVENTIONNELS HFET Metal/AIGaN/GaN ET SUR LES TRANSISTORS HFET A DOUBLES COUCHES Metal/GaN/AIGaN/GaN

N Mokdad; K Zitouni; A Kadri

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INFLUENCE DE LA POLARISATION PIEZOELECTRIQUE SUR LES TRANSISTORS CONVENTIONNELS HFET Metal/AIGaN/GaN ET SUR LES TRANSISTORS HFET A DOUBLES COUCHES Metal/GaN/AIGaN/GaN

Authors:

N Mokdad | K Zitouni | A Kadri

Publisher:

Ecole Nationale supérieure Polytechnique

Journal:

Communication science et technologie Vol.7 Issue 1, pp.89-96

Document Type:

Article

Publication Date:

1/2009

Document Language:

French

Document ID (Org No.):

2001541864

pISSN:

2773-3483

Keywords:

Abstract:

 Dans cet article, nous présentons une étude de l'influence de l'introduction d'une couche de
GaN dans le transistor conventionnel Metall AIGaN/GaN entre le contact métal el la couche
de la barrière AIGaN . L'introduction de celte couche modifie la hauteur de la barrière de
Schottky et, par conséquent, les caractéristiques du transistor et, en particulier, la
caractéristique courant-tension via la polarisation piézo-électrique. Nous calculons la densité
de charges induite dans les HFET (High Mobility Field Effect Transistor) conventionnels:
MetaVAIGaN-300Ao/GaN et dans les transistors à double couches Metal/GaN -75
AO/ALGaN-225 AO/GaN. Ensuite, nous calculons la hauteur de la, barrière de Schottky
effective dans la structure à double couche en fonction de l'épaisseur de la couche introduite
de GaN pour différentes concentrations en Al, ainsi que la caractéristique courant-tension
pour les deux transistors. Ces résultats montrent que l'augmentation de la hauteur de la
barrière de Schottky dans la structure à double couche via la polarisation piézo-électrique
réduit le courant source-drain dans ce type de transistors.

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INFLUENCE DE LA POLARISATION PIEZOELECTRIQUE SUR LES TRANSISTORS CONVENTIONNELS HFET Metal/AIGaN/GaN ET SUR LES TRANSISTORS HFET A DOUBLES COUCHES Metal/GaN/AIGaN/GaN

Authors:

N Mokdad | K Zitouni | A Kadri

Publisher:

Ecole Nationale supérieure Polytechnique

Journal:

Communication science et technologie Vol.7 Issue 1, pp.89-96

Document Type:

Article

Publication Date:

1/2009

Document Language:

French

Document ID (Org No.):

2001541864

pISSN:

2773-3483

Transistors HEMT

GaN

AIGaN

Polarisation Spontanée

Polarisation Piézo-électrique

2DEG

Caractéristiques I-V

Issues

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Authors: N Mokdad | K Zitouni | A Kadri

Publisher: Ecole Nationale supérieure Polytechnique

Journal: Communication science et technologie Vol.7 Issue 1, pp.89-96

Document Type: Article

Publication Date: 1/2009

Document Language: French

Document ID (Org No.): 2001541864

pISSN: 2773-3483

Issues

Authors:

N Mokdad | K Zitouni | A Kadri

Publisher:

Ecole Nationale supérieure Polytechnique

Journal:

Communication science et technologie Vol.7 Issue 1, pp.89-96

Document Type:

Article

Publication Date:

1/2009

Document Language:

French

Document ID (Org No.):

2001541864

pISSN:

2773-3483